DMN2011UFDF-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMN2011UFDF-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN2011UFDF-7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

U-DFN2020-6 (Type F)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres

DMN2011UFDF-7-ND
DMN2011UFDF-7DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2248pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

56nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 14.2A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

14.2A (Ta)

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DMN2009LSS-13

Descripción: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

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