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Imagen DMN2011UFX-7

Diodes Incorporated

DMN2011UFX-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMN2011UFX-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN2011UFX-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

V-DFN2050-4
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Potencia - Max

2.1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

4-VFDFN Exposed Pad
Otros nombres

DMN2011UFX-7DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2248pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

56nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 12.2A (Ta) 2.1W Surface Mount V-DFN2050-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12.2A (Ta)

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