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843832Imagen DMN2016LFG-7Diodes Incorporated

DMN2016LFG-7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMN2016LFG-7
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMN2016LFG-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.1V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    U-DFN3030-8
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    18 mOhm @ 6A, 4.5V
  • Potencia - Max
    770mW
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerUDFN
  • Otros nombres
    DMN2016LFG-7DICT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    20 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1472pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 770mW Surface Mount U-DFN3030-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    5.2A
  • Número de pieza base
    DMN2016L

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