DMN2016LHAB-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMN2016LHAB-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN2016LHAB-7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

U-DFN2030-6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

15.5 mOhm @ 4A, 4.5V
Potencia - Max

1.2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres

DMN2016LHAB-7DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.5A 1.2W Surface Mount U-DFN2030-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

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DMN2011UFX-7

Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated

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