DMN62D1LFB-7B

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Especificaciones

Número de pieza

DMN62D1LFB-7B
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN62D1LFB-7B.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

X1-DFN1006-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2 Ohm @ 100mA, 4V
La disipación de energía (máximo)

500mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

3-UFDFN
Otros nombres

DMN62D1LFB-7BDICT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

64pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.9nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 320mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

320mA (Ta)

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DMN63D1L-13

Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated

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