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SI3909DV-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI3909DV-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI3909DV-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

500mV @ 250µA (Min)
Paquete del dispositivo

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Potencia - Max

1.15W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.15W Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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Descripción:

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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