SI3900DV-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI3900DV-T1-E3
Fabricante / Marca

Vishay / Siliconix
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI3900DV-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

-
Tensión - Desglose

6-TSOP
VGS (th) (Max) @Id

125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Serie

TrenchFET®
Estado RoHS

Digi-Reel®
RDS (Max) @Id, Vgs

2A
Potencia - Max

830mW
Polarización

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

SI3900DV-T1-E3DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

15 Weeks
Número de pieza del fabricante

SI3900DV-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4nC @ 4.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.5V @ 250µA
Característica de FET

2 N-Channel (Dual)
Descripción ampliada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

Logic Level Gate
Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20V

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SI3909DV-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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