SI4196DY-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI4196DY-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI4196DY-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

27 mOhm @ 8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta), 4.6W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

830pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 8V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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Descripción: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

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