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SI4200DY-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI4200DY-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI4200DY-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 7.3A, 10V
Potencia - Max

2.8W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

SI4200DY-T1-GE3-ND
SI4200DY-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

415pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A

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Descripción: IC RF TXRX CELLULAR 32-LFLGA

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

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