SI4590DY-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI4590DY-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI4590DY-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

57 mOhm @ 2A, 10V
Potencia - Max

2.4W, 3.4W
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

SI4590DY-T1-GE3DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11.5nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 100V 3.4A, 2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A, 2.8A

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Descripción: IC DAB/DAB+ FM AM AUTO 48QFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

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