SI4599DY-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI4599DY-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI4599DY-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

35.5 mOhm @ 5A, 10V
Potencia - Max

3W, 3.1W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

SI4599DY-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.8A, 5.8A 3W, 3.1W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.8A, 5.8A
Número de pieza base

SI4599

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SI4565ADY-T1-E3

Descripción: MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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