SI5418DU-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI5418DU-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI5418DU-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® ChipFet Single
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

14.5 mOhm @ 7.7A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.1W (Ta), 31W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® ChipFET™ Single
Otros nombres

SI5418DU-T1-GE3TR
SI5418DUT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

27 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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SI5410DU-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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