SI5433BDC-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI5433BDC-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI5433BDC-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

1206-8 ChipFET™
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

37 mOhm @ 4.8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.3W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

SI5433BDC-T1-E3TR
SI5433BDCT1E3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 4.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.8A (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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