SI6413DQ-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI6413DQ-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI6413DQ-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

800mV @ 400µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-TSSOP
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

10 mOhm @ 8.8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.05W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

21 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

105nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 7.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.2A (Ta)

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SI6433BDQ-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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