SI6459BDQ-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI6459BDQ-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI6459BDQ-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-TSSOP
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

115 mOhm @ 2.7A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres

SI6459BDQ-T1-E3DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A (Ta)

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SI6433BDQ-T1-E3

Descripción: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI6459BDQ-T1-E3

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