SI8424CDB-T1-E1

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Especificaciones

Número de pieza

SI8424CDB-T1-E1
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI8424CDB-T1-E1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

800mV @ 250µA
Vgs (Max)

±5V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

4-Microfoot
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

4-UFBGA, WLCSP
Otros nombres

SI8424CDB-T1-E1CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2340pF @ 4V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

40nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

8V
Descripción detallada

N-Channel 8V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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SI8425DB-T1-E1

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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