SI8425DB-T1-E1

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Especificaciones

Número de pieza

SI8425DB-T1-E1
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI8425DB-T1-E1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

4-WLCSP (1.6x1.6)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

23 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

4-UFBGA, WLCSP
Otros nombres

SI8425DB-T1-E1TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

110nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-WLCSP (1.6x1.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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SI8423BD-B-ISR

Descripción: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

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