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6999835Imagen SIA778DJ-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA778DJ-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SIA778DJ-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SIA778DJ-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    29 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Potencia - Max
    6.5W, 5W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Otros nombres
    SIA778DJ-T1-GE3TR
    SIA778DJT1GE3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    27 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    500pF @ 6V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    15nC @ 8V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    12V, 20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V, 20V 4.5A, 1.5A 6.5W, 5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    4.5A, 1.5A
  • Número de pieza base
    SIA778

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