SIA485DJ-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIA485DJ-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

SIA485DJ-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.6 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

15.6W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SC-70-6
Otros nombres

SIA485DJ-T1-GE3-ND
SIA485DJ-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

22 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.3nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

P-Channel 150V 1.6A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Tc)

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SIA472EDJ-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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