SIA811DJ-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SIA811DJ-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIA811DJ-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie

LITTLE FOOT®
RDS (Max) @Id, Vgs

94 mOhm @ 2.8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Otros nombres

SIA811DJ-T1-E3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

355pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13nC @ 8V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

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SIA778DJ-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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