SIA519EDJ-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIA519EDJ-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIA519EDJ-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.4V @ 250µA
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Potencia - Max

7.8W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Otros nombres

SIA519EDJ-T1-GE3TR
SIA519EDJT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A
Número de pieza base

SIA519

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Los siguientes son productos relacionados con "SIA519EDJ-T1-GE3".

SIA810DJ-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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