SIA915DJ-T4-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIA915DJ-T4-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 30V SC70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIA915DJ-T4-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

87 mOhm @ 2.9A, 10V
Potencia - Max

1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

275pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9nC @ 10V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.7A (Ta), 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta), 4.5A (Tc)

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SIA913ADJ-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIA915DJ-T4-GE3

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