SIA923EDJ-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIA923EDJ-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIA923EDJ-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.4V @ 250µA
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

54 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Potencia - Max

7.8W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Otros nombres

SIA923EDJ-T1-GE3TR
SIA923EDJT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

25nC @ 8V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A
Número de pieza base

SIA923

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SIAA40DJ-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 40V 30A SC70-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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