SIHB23N60E-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIHB23N60E-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIHB23N60E-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

158 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

227W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2418pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

95nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 23A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Tc)

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SIHB22N65E-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Fabricantes: Vishay Siliconix

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