SIHB25N50E-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIHB25N50E-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

SIHB25N50E-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263 (D²Pak)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

145 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

250W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1980pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

86nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 26A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

26A (Tc)

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SIHB6N65E-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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