SIHD7N60ET4-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIHD7N60ET4-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

SIHD7N60ET4-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252AA
Serie

E
RDS (Max) @Id, Vgs

600 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

78W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

40nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

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SIHD6N65ET4-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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