SIHD6N62E-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIHD6N62E-GE3
Fabricante / Marca

Vishay / Siliconix
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIHD6N62E-GE3.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

578pF @ 100V
Tensión - Desglose

D-PAK (TO-252AA)
VGS (th) (Max) @Id

900 mOhm @ 3A, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs

6A (Tc)
Polarización

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

19 Weeks
Número de pieza del fabricante

SIHD6N62E-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

34nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 620V 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

620V
relación de capacidades

78W (Tc)

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SIHD2N80E-GE3

Descripción:

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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