SIRA18DP-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIRA18DP-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SIRA18DP-T1-GE3.pdf
2.SIRA18DP-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

7.5 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SO-8
Otros nombres

SIRA18DP-T1-GE3TR
SIRA18DPT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

21.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 33A (Tc) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

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SIRA10DP-T1-GE3

Descripción:

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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