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70V3569S6BFG

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14+

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Especificaciones

Número de pieza

70V3569S6BFG
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 576K PARALLEL 208FPBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

70V3569S6BFG.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

3.15 V ~ 3.45 V
Tecnología

SRAM - Dual Port, Synchronous
Paquete del dispositivo

208-FPBGA (15x15)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

208-LFBGA
Otros nombres

800-1394
IDT70V3569S6BFG
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

576Kb (16K x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 576Kb (16K x 36) Parallel 6ns 208-FPBGA (15x15)
Número de pieza base

IDT70V3569
Tiempo de acceso

6ns

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70V3579S4BC8

Descripción: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)

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