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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > 70V3579S4BC

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Imagen 70V3579S4BC

IDT (Integrated Device Technology)

70V3579S4BC

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Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

12+

$72.332

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

70V3579S4BC
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.70V3579S4BC.pdf
2.70V3579S4BC.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

3.15 V ~ 3.45 V
Tecnología

SRAM - Dual Port, Synchronous
Paquete del dispositivo

256-CABGA (17x17)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

256-LBGA
Otros nombres

IDT70V3579S4BC
IDT70V3579S4BC-ND
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

4 (72 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

1.125Mb (32K x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 4.2ns 256-CABGA (17x17)
Número de pieza base

IDT70V3579
Tiempo de acceso

4.2ns

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