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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > 70V3579S4BF8

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Imagen 70V3579S4BF8

IDT (Integrated Device Technology)

70V3579S4BF8

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Existencias disponibles

1000+

$57.33

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

70V3579S4BF8
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.70V3579S4BF8.pdf
2.70V3579S4BF8.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

3.15 V ~ 3.45 V
Tecnología

SRAM - Dual Port, Synchronous
Paquete del dispositivo

208-CABGA (15x15)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

208-LFBGA
Otros nombres

IDT70V3579S4BF8
IDT70V3579S4BF8-ND
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

1.125Mb (32K x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 4.2ns 208-CABGA (15x15)
Número de pieza base

IDT70V3579
Tiempo de acceso

4.2ns

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