70V3569S6DRI

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Especificaciones

Número de pieza

70V3569S6DRI
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

70V3569S6DRI.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

3.15 V ~ 3.45 V
Tecnología

SRAM - Dual Port, Synchronous
Paquete del dispositivo

208-PQFP (28x28)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

208-BFQFP
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

576Kb (16K x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 576Kb (16K x 36) Parallel 6ns 208-PQFP (28x28)
Tiempo de acceso

6ns

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70V3569S5DRI

Descripción: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)

Existencias disponibles

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