IXFX180N10

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Especificaciones

Número de pieza

IXFX180N10
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFX180N10.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PLUS247™-3
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

8 mOhm @ 90A, 10V
La disipación de energía (máximo)

560W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

390nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 180A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

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IXFX160N30T

Descripción: MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247

Fabricantes: IXYS Corporation

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