IXFX20N80Q

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Especificaciones

Número de pieza

IXFX20N80Q
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PLUS247™-3
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

420 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

360W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

200nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 20A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

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IXFX21N100F

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3

Fabricantes: IXYS RF

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