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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTF200N10T

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Imagen IXTF200N10T

IXYS Corporation

IXTF200N10T

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25+

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Especificaciones

Número de pieza

IXTF200N10T
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTF200N10T.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ISOPLUS i4-PAC™
Serie

TrenchMV™
RDS (Max) @Id, Vgs

7 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

156W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

i4-Pac™-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

152nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 90A (Tc) 156W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

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