IXTF2N300P3

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Especificaciones

Número de pieza

IXTF2N300P3
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

IXTF2N300P3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ISOPLUS i4-PAC™
Serie

Polar™
RDS (Max) @Id, Vgs

21 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

160W (Tc)
Paquete / Cubierta

ISOPLUSi5-Pak™
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

73nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

3000V
Descripción detallada

N-Channel 3000V 1.6A (Tc) 160W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Tc)

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