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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTH06N220P3HV

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Imagen IXTH06N220P3HV

IXYS Corporation

IXTH06N220P3HV

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Especificaciones

Número de pieza

IXTH06N220P3HV
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

IXTH06N220P3HV.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247HV
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

80 Ohm @ 300mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

104W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-247-3 Variant
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

2200V
Descripción detallada

N-Channel 2200V 600mA (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-247HV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

600mA (Tc)

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