International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHM4226TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFHM4226TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFHM4226TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.1V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

2.2 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.7W (Ta), 39W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-TQFN Exposed Pad
Otros nombres

IRFHM4226TRPBFTR
SP001556568
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

32nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 28A (Ta) 2.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

28A (Ta)

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IRFH8334TR2PBF

Descripción: MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRFHM4226TRPBF

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