International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHM830TR2PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFHM830TR2PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFHM830TR2PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.35V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PQFN (3x3)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

3.8 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.7W (Ta), 37W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-VQFN Exposed Pad
Otros nombres

IRFHM830TR2PBFCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2155pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

31nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Ta), 40A (Tc)

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IRFHM8330TRPBF

Descripción: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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