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1945138Imagen IRFHM830DTR2PBFInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHM830DTR2PBF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRFHM830DTR2PBF
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRFHM830DTR2PBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.35V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PQFN (3x3)
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    4.3 mOhm @ 20A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.8W (Ta), 37W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-VQFN Exposed Pad
  • Otros nombres
    IRFHM830DTR2PBFCT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1797pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 20A (Ta), 40A (Tc) 2.8W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
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