International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHM8228TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFHM8228TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFHM8228TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.35V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

5.2 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta), 34W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

IRFHM8228TRPBFTR
SP001556578
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1667pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 19A (Ta) 2.8W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta)

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IRFHM830DTRPBF

Descripción: MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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