EMF24T2R

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Especificaciones

Número de pieza

EMF24T2R
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EMF24T2R.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Tipo de transistor

1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Paquete del dispositivo

EMT6
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

150mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz, 180MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz, 180MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA, 150mA

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EMF510

Descripción: SPECIALTY EMF/ELF

Fabricantes: FLIR

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