Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > R6012425XXYA
RFQs/Orden (0)
español
español
1226720

R6012425XXYA

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
30+
$83.063
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    R6012425XXYA
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.5V @ 800A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    2400V
  • Paquete del dispositivo
    DO-205AB, DO-9
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    11µs
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Chassis, Stud Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 2400V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    50mA @ 2400V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    250A
  • Capacitancia Vr, F
    -
R6011830XXYA

R6011830XXYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Descripción: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6011630XXYA

R6011630XXYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6012225XXYA

R6012225XXYA

Descripción: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6012ANX

R6012ANX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6011KNJTL

R6011KNJTL

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Descripción: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6012030XXYA

R6012030XXYA

Descripción: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6015ENJTL

R6015ENJTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6011ENX

R6011ENX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Descripción: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6012025XXYA

R6012025XXYA

Descripción: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6015ANX

R6015ANX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6015ANZC8

R6015ANZC8

Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6011KNX

R6011KNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6012FNX

R6012FNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6011ENJTL

R6011ENJTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6013-00

R6013-00

Descripción: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Fabricantes: Harwin
Existencias disponibles

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir