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R6012625XXYA

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Especificaciones
  • Número de pieza
    R6012625XXYA
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.5V @ 800A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    2600V
  • Paquete del dispositivo
    DO-205AB, DO-9
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    11µs
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Chassis, Stud Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 2600V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    50mA @ 2600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    250A
  • Capacitancia Vr, F
    -
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Descripción: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6015ENX

R6015ENX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6013-00

R6013-00

Descripción: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Fabricantes: Harwin
Existencias disponibles
R6012225XXYA

R6012225XXYA

Descripción: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6011KNX

R6011KNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6012FNX

R6012FNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6011ENX

R6011ENX

Descripción:

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6012ANX

R6012ANX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6015ANZC8

R6015ANZC8

Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6011830XXYA

R6011830XXYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6015ANX

R6015ANX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Descripción: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6012030XXYA

R6012030XXYA

Descripción: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Descripción: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6011KNJTL

R6011KNJTL

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6011ENJTL

R6011ENJTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6015ENJTL

R6015ENJTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6012025XXYA

R6012025XXYA

Descripción: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles

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