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Imagen RFN3BGE6STL

LAPIS Semiconductor

RFN3BGE6STL

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Especificaciones

Número de pieza

RFN3BGE6STL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

SUPER FAST RECOVERY DIODE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RFN3BGE6STL.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.55V @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

TO-252GE
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

30ns
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

RFN3BGE6STLDKR
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 600V 3A Surface Mount TO-252GE
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)

3A
Capacitancia Vr, F

-

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