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Imagen RFN20TJ6SGC9

LAPIS Semiconductor

RFN20TJ6SGC9

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Especificaciones

Número de pieza

RFN20TJ6SGC9
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RFN20TJ6SGC9.pdf
2.RFN20TJ6SGC9.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.55V @ 20A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

TO-220ACFP
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

140ns
Paquete / Cubierta

TO-220-2 Full Pack
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 600V 20A Through Hole TO-220ACFP
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)

20A
Capacitancia Vr, F

-

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