RFN3BM2SFHTL

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Especificaciones

Número de pieza

RFN3BM2SFHTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 200V 3A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RFN3BM2SFHTL.pdf
2.RFN3BM2SFHTL.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

980mV @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Paquete del dispositivo

TO-252
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr)

25ns
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

RFN3BM2SFHTLCT
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 200V 3A Surface Mount TO-252
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)

3A
Capacitancia Vr, F

-

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RFN5BM2STL

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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