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Imagen RFN2L6STE25

LAPIS Semiconductor

RFN2L6STE25

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Especificaciones

Número de pieza

RFN2L6STE25
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RFN2L6STE25.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.55V @ 1.5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

PMDS
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

35ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-214AC, SMA
Otros nombres

RFN2L6STE25TR
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 600V 1.5A Surface Mount PMDS
Corriente - Fuga inversa a Vr

1µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)

1.5A
Capacitancia Vr, F

-

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