RQ1A070APTR

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Especificaciones

Número de pieza

RQ1A070APTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RQ1A070APTR.pdf
2.RQ1A070APTR.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

-8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSMT8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

14 mOhm @ 7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

550mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7800pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

80nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 7A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta)

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