RQ1E100XNTR

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Especificaciones

Número de pieza

RQ1E100XNTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
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Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RQ1E100XNTR.pdf
2.RQ1E100XNTR.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSMT8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

10.5 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

550mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12.7nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 10A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

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